2026.07.09
水溶液ミストで窒化銅（Cu₃N）薄膜を低温・低コスト・大面積形成 7月9日にJST新技術説明会でオンライン公開
工学院大学（学長：今村 保忠、所在地：東京都新宿区／八王子市）の山口 智広 教授（応用物理学科）は、水溶液ミストから高品質な窒化銅（Cu₃N）薄膜を低温・低コスト・大面積で形成する技術を開発しました。錯体構造制御Mist CVDに基づき、銅粉末とアンモニア水にHacac（アセチルアセトン）を加えた簡便･低コストな前駆体を設計し、Cu₃N薄膜の高品質化を実現した点が特徴です。
2026年7月9日にオンライン開催されるJST新技術説明会（主催：国立研究開発法人科学技術振興機構（JST）、工学院大学）において最新研究成果と産業応用の可能性を企業に向けて紹介し、社会での技術活用を進めます。
Cu₃N薄膜は、半導体デバイスやセンサー材料などへの応用が期待される機能性薄膜材料です。従来、高品質なCu₃N薄膜の形成には、スパッタやMBEなどの真空法が用いられてきました。これらの手法は高品質なCu₃N成長が可能である一方、真空環境下での成膜を前提とすることなどから、コストや成膜温度、大面積化に課題がありました。
今回の成果では、水溶液ミストを用いるミスト化学気相堆積（Mist CVD）法に、錯体構造制御に基づく前駆体設計を組み合わせています。本技術は、低コストな前駆体設計と、低温・大面積成膜、高品質化を合わせて実現できる点に強みがあります。
将来的には、低温形成トランジスタやCu配線形成、太陽電池・光電変換デバイス、センサー材料などへの展開も想定されています。低温・低コスト・大面積でCu₃N薄膜を形成できる技術として、電子デバイス関連分野での活用が期待されます。
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